TOMI SiNW技术

材料合成: TOMI已成功地低成本、高效率制备出硅纳米线团(SiNW),>0.5kg/批。
材料分散: TOMI已成功制备高分散状态的硅纳米线分散液。
材料包覆: TOMI已成功制备高度包覆的硅碳负极,具有优异的循环性能。

TOMI SiNW技术

预锂化:预锂化后,硅纳米线表面变粗糙,直径增粗约50~100%!硅线虽然表面变粗糙、直径变粗,但并未断裂或破碎!硅纳米线充电过程中径向尺寸变化远小于硅纳米颗粒(>300%),同时会轴向变化分散膨胀应力。
电池制作:如右图所示